当先进封装走到2.5D/3D堆叠、TSV通孔、高密度Fan-Out阶段，传统PVD在深宽比超过5:1的结构中已很难保证台阶覆盖性。这时，态锐仪器提供的ALD薄膜沉积方案，成为解决微电子封装高精度涂层难题的关键路径。

为什么封装环节需要ALD而非普通CVD？

常规CVD工艺沉积速率快、成本低，但在纳米级沟槽和通孔内易出现厚度不均。ALD以自限制性表面反应逐层生长，每周期仅约0.1nm，深宽比20:1以上仍可保形覆盖。态锐仪器将两者结合，在同一平台实现CVD快速填充与ALD精准修整。

态锐仪器的核心技术支撑

态锐仪器在薄膜沉积设备上做了三项针对性设计：

• 热壁反应腔：温控均匀性±1℃，减少前驱体冷凝
• 多源前驱体供给：支持TMA、TEMAZ等，适配Al₂O₃、TiO₂、TiN等封装常用材料
• 原位等离子体增强：PEALD模式将沉积温度降至150℃以下，兼容聚酰亚胺等有机基板

选型时看什么？

若您面向RDL钝化层或TSV绝缘层，建议优先评估态锐仪器的PEALD机型：关注三点——单周期生长速率、片内均匀性（<2%）、颗粒添加水平（<10 adders@0.12μm）。CVD机型则更适合厚膜封装介质层，速率可达ALD的数十倍。

随着Chiplet与异构集成放量，ALD薄膜沉积正从研发线走向量产封装线。态锐仪器持续优化前驱体利用率与腔体清洁周期，帮助客户把涂层成本控制在可量产区间。