当先进封装走到2.5D/3D堆叠、TSV通孔、Chiplet异构集成的阶段，传统PVD在小尺寸高深宽比结构中的台阶覆盖性已经力不从心。薄膜沉积技术该如何跟上封装密度提升的步伐？这正是态锐仪器长期关注并深耕的方向。

CVD与ALD：互补而非替代

行业现状是，CVD仍是介质层沉积的主力——TEOS SiO₂、SiN、SiCN等薄膜在钝化层和绝缘层中应用成熟，沉积速率可达数百nm/min。但当线宽缩至几微米、深宽比超过5:1时，ALD凭借自限制性表面反应机制，可将膜厚精度控制在±0.1nm，台阶覆盖率接近100%。两者在先进封装中并非替代关系，而是按需组合。

态锐仪器的核心技术积累

态锐仪器在真空镀膜设备领域深耕多年，围绕CVD与ALD两条技术路线构建了完整的产品矩阵。针对先进封装场景，设备在颗粒控制（<10颗@0.1μm）、热预算管理（≤200°C低温工艺）和薄膜均匀性（<±2%@200mm）等关键指标上做了系统性优化。

选型要点参考

• 膜厚需求：>50nm优先CVD，<10nm选ALD
• 结构特征：高深宽比通孔、窄沟槽建议ALD
• 产能考量：CVD速率优势明显，ALD适合关键层精准沉积
• 热预算：态锐仪器可提供低温CVD与热型/等离子体ALD方案

面向Chiplet与混合键合趋势，薄膜沉积技术正从“能用”走向“精准可控”。态锐仪器将持续在CVD与ALD设备端投入研发，为先进封装产线提供更可靠的薄膜沉积解决方案。