2024年以来，Micro-LED与钙钛矿光伏两条赛道的设备招标中，ALD（原子层沉积）设备的占比明显上升。据行业不完全统计，国内显示面板与新能源厂商在薄膜沉积环节的设备采购预算，较去年同期增长约30%。这背后，是器件结构微缩对封装技术提出的新要求。

为什么是ALD？

传统PVD在深宽比超过5:1的沟槽中，台阶覆盖率往往不足60%，而ALD凭借自限制性表面化学反应，可在高纵深结构上实现近乎100%的共形覆盖。对于Micro-LED的侧壁钝化、钙钛矿电池的致密阻水层，这一特性几乎是刚需。

态锐仪器的技术布局

态锐仪器在真空镀膜设备领域深耕多年，围绕CVD与ALD两条技术路线，形成了从热ALD到等离子体增强PEALD的完整产品矩阵。其薄膜沉积设备在显示面板的TFE封装、新能源电池的界面修饰等场景中，已积累大量工艺数据。

ALD与CVD如何选型？

• ALD：速率慢（约0.1-0.3 nm/cycle），但精度极高，适合超薄阻隔层、界面钝化层
• CVD：速率快，适合厚膜沉积，但在高深宽比结构上均匀性受限
• 态锐仪器的方案：ALD做核心功能层，CVD做辅助封装层，形成互补工艺链

产线选型时，建议先明确器件的关键失效模式——是水汽渗透敏感，还是界面态密度过高，再决定以ALD还是CVD为主设备。态锐仪器可提供工艺验证与设备定制的一站式支持。