先进封装向2.5D/3D异构集成快速演进，薄膜沉积的均匀性与台阶覆盖率成为良率关键。态锐仪器围绕CVD与ALD两条技术路线，为封装环节提供从介质层到阻挡层的薄膜沉积解决方案。

为什么封装环节越来越依赖CVD与ALD

当TSV深宽比超过10:1、RDL线宽向1μm以下推进时，传统PVD在侧壁覆盖上的局限愈发明显。CVD凭借良好的台阶覆盖性和较高的沉积速率，在SiO₂、SiN等介质层沉积中占据主力位置；ALD则以原子级自限制生长机制，在high-k栅介质、金属阻挡层等超薄薄膜场景中不可替代。

• 介质层沉积：态锐仪器CVD设备在400℃以下实现高质量SiO₂薄膜，适配多种封装基板
• 阻挡层/种子层：ALD工艺在深孔结构中实现>95%的台阶覆盖率
• 钝化层：低温SiN薄膜沉积，兼容后续光刻与蚀刻制程

态锐仪器的差异化能力

态锐仪器在真空镀膜设备领域深耕多年，其CVD薄膜沉积设备采用自主设计的喷淋头结构和温场控制系统，薄膜厚度均匀性可控制在±3%以内。针对封装行业常见的翘曲基板，设备集成了动态调压模块，有效降低因热应力导致的薄膜开裂风险。

在ALD方面，态锐仪器的热ALD与等离子体增强ALD（PEALD）双平台可覆盖80℃-400℃的工艺窗口，满足不同封装材料的温度预算。

某国内头部封测厂在FO-WLP产线中引入态锐仪器CVD设备用于沉积PI钝化层前的SiO₂过渡层，量产后薄膜针孔密度下降约40%，封装良率提升近2个百分点。

随着Chiplet与混合键合技术放量，薄膜沉积的精度要求只会更严苛。态锐仪器持续推进CVD与ALD设备的工艺整合能力，为封装客户提供更可控、更稳定的薄膜沉积方案。