薄膜沉积的均匀性与封装可靠性，直接决定器件良率与长期稳定性。态锐仪器围绕CVD与ALD两条技术路线构建镀膜设备产品系列，在膜厚控制、台阶覆盖与封装阻隔性能上形成了可量化的技术优势。

CVD设备：均匀性与台阶覆盖的工程化突破

态锐仪器CVD镀膜设备采用多区独立温控与匀流喷淋头设计，将8英寸晶圆内的膜厚均匀性控制在±2%以内，批间重复性偏差低于1.5%。针对高深宽比结构，设备通过腔体压力与前驱体流量协同调节，使台阶覆盖率提升至85%以上，减少侧壁空洞风险。

ALD技术：原子级精度支撑封装阻隔层

在封装环节，水汽与氧气渗透是器件失效的主要诱因。态锐仪器ALD薄膜沉积设备以自限制表面反应实现逐层生长，单循环膜厚精度达0.1nm级别，可在低温（≤150℃）条件下沉积Al₂O₃、TiO₂等阻隔层，水汽透过率（WVTR）可控制在10⁻⁴ g/m²·day量级，满足OLED与MEMS封装要求。

工艺集成与案例验证

设备配套的在线膜厚监测与等离子体诊断模块，让工艺窗口的调试周期缩短约30%。某柔性显示客户在导入态锐仪器CVD与ALD联合方案后，封装层针孔密度下降一个数量级，高温高湿老化测试（85℃/85%RH，1000h）通过率由92%提升至98.6%。

• 均匀性：±2%片内偏差，支持8英寸及以下晶圆
• 阻隔性能：WVTR低至10⁻⁴ g/m²·day量级
• 工艺兼容：CVD与ALD腔体可集群集成，减少界面污染

态锐仪器以CVD与ALD薄膜沉积技术的协同布局，为器件制造与封装环节提供从膜厚均匀性到长期可靠性的完整工艺支撑。