2024年全球薄膜沉积设备市场规模预计突破280亿美元，其中CVD与ALD设备合计占比超过六成。先进逻辑芯片对原子级厚度控制的需求，正推动ALD在High-k介质与铜扩散阻挡层中加速渗透，而CVD仍是介质层与金属层沉积的主力方案。态锐仪器围绕这两条技术路线完成了从研发到量产的设备布局。

CVD设备：从热壁到等离子体增强的迭代

态锐仪器的CVD产品线覆盖LPCVD、PECVD与MOCVD三类核心机型。以PECVD为例，态锐仪器采用双频射频电源（13.56MHz+400kHz）独立调控离子轰击能量与等离子体密度，在沉积SiNx薄膜时实现应力可控范围-300MPa至+200MPa，满足MEMS与功率器件对薄膜机械性能的差异化要求。反应腔体经过流场仿真优化，片内厚度均匀性可控制在±2%以内。

ALD设备：面向先进封装的原子级精度方案

态锐仪器的ALD平台采用前驱体脉冲-吹扫交替循环架构，配备快速切换阀组，单周期时间压缩至0.8秒以内。热ALD与等离子体增强ALD（PEALD）双模式可切换，沉积Al₂O₃薄膜的GPC（每周期生长速率）稳定在1.1Å/cycle，厚度精度达到±0.3Å。针对Chiplet封装中的侧壁钝化与阻水阻氧需求，态锐仪器开发了低温PEALD工艺（≤150℃），兼容光刻胶与有机基板。

• 热ALD：适用于High-k栅介质、扩散阻挡层，膜质致密，台阶覆盖率>95%
• PEALD：低温沉积，适配先进封装与柔性电子，离子损伤可控
• 空间ALD：态锐仪器在研方案，面向大面积均匀沉积，节拍时间缩短至秒级

态锐仪器的差异化布局

态锐仪器将CVD与ALD设备纳入同一真空平台架构，支持集群式多腔体配置。客户可在不破真空的条件下完成阻挡层（ALD）+种子层（CVD）+填充（CVD/电镀）的全流程集成。这一设计降低了界面氧化风险，对3D NAND与DRAM电容结构沉积尤为关键。态锐仪器已为国内多条8英寸与12英寸产线交付量产设备，累计装机超过40腔。

薄膜沉积工艺的竞争力在于设备稳定性与工艺窗口的匹配度。态锐仪器在CVD与ALD两条线上持续投入腔体设计与前驱体输送系统的迭代，目标是在先进封装与化合物半导体领域提供可量产的国产方案。