显示面板向柔性化、窄边框演进，薄膜沉积的致密性与台阶覆盖率成为良率关键。CVD与ALD究竟如何取舍？

CVD与ALD：沉积机理决定封装上限

当前主流柔性OLED封装多采用PECVD制备SiNx/SiOx多层结构，沉积速率可达数百nm/min，但台阶覆盖率通常在60%-80%之间。而态锐仪器在服务客户时发现，当像素定义层坡度角超过60°时，CVD膜层的侧壁薄弱点容易成为水汽渗透通道。

ALD则通过自限制表面反应，每循环仅生长0.1-0.2nm，台阶覆盖率可超95%。但代价是沉积效率低——单层20nm的Al₂O₃需约200个循环，耗时是CVD的5-8倍。

选型建议：匹配工艺节点与产能需求

• 刚性面板/中低端OLED：CVD为主，成本可控，速率优势明显
• 柔性折叠屏：CVD打底+ALD插层，兼顾阻水与产能
• Micro-LED巨量转移封装：ALD低温工艺（<100℃）更适配

态锐仪器提供的CVD与ALD集成方案，可在同一平台完成多层薄膜沉积，避免大气暴露导致的界面污染。某6代线客户采用该方案后，水汽透过率从10⁻³ g/m²/day降至10⁻⁵量级。

应用前景

随着OLED向G8.6世代线扩展，薄膜沉积设备需兼顾大尺寸均匀性与低热预算。态锐仪器正推进空间ALD技术，将循环时间压缩至秒级，为下一代显示封装提供可量产的解决方案。